产品详情

供应 美格拉（纳）MOS管——MDP11N60TH 原装

地区：上海 上海市
认证： 无

上海贝臣电子有限公司

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•封装形式：TO-220

• 工作温度范围：-55 ~ 150°C

•耗散功率：182W

•VDS= 600V

•ID=11A @ VGS = 10V

•RDS(ON0≤ 0.55D @ VGS = 10V

品牌/商标

MagnaChip(美格纳半导体)

型号/规格

MDP11N60TH

种类

绝缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

SW-REG/开关电源

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

MES金属半导体

开启电压

5（V）

跨导

13000（μS）

极间电容

1700（pF）

漏极电流

11000（mA）

耗散功率

182000（mW）