产品详情

供应 美格拉（纳）贴片n沟道 MOS管 MDD4N60RH

地区：上海 上海市
认证： 无

上海贝臣电子有限公司

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•工作温度范围：-55~ 150°C

•封装形式：DPAK

•ID=3.5A         VDS=600V

•耗散功率：67.5W

 

 

 

品牌/商标

MagnaChip(美格纳半导体)

型号/规格

MDD4N60RH

种类

绝缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

V-FET/V型槽MOS

封装外形

CHIP/小型片状

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

5（V）

跨导

4000（μS）

极间电容

506（pF）

漏极电流

3500（mA）

耗散功率

67500（mW）