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安森美功率MOS管——NTD18N06L

地区：上海 上海市
认证： 无

上海贝臣电子有限公司

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 N−Channel  18Amps 60 Volts Power MOSFET

 •无铅包装

 •封装：DPAK(TO-252)

 •工作温度范围：-55 to 175°C

 •开启延迟时间：20ns

 •关断延迟时间：40ns

 •导通电阻: R=54mΩ @5V

 •耗散功率： PD=55W

 

 

 

品牌/型号

ON/NTD18N06L

种类

绝缘栅MOSFET

用途

V-FET/V型槽MOS

封装外形

SMDSO/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

跨导

13500（μS）

极间电容

675（pF）

漏极电流

18000（mA）

耗散功率

55000（mW）

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型