上海贝臣电子有限公司
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产品属性
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•开态电阻RDS(on):60 mΩ
•封装类型:TO-252(DPAK)
•安装形式:表贴
•开启延迟时间:100ns
•关断延迟时间:500ns
•功率损耗:60W
ST意法半导体/VND7NV04
绝缘栅MOSFET
V-FET/V型槽MOS
SMDSO/表面封装
N-FET硅N沟道
40(V)
400(mA)
N沟道
增强型
STP21NM50N
供应仙童原装FQPF44N10
供应IR原装MOS —— IRFB31N20D
供应IR原装MOS ——IRFB23N20D
供应安森美功率MOS管——NTF3055-100T1G
长期供应ST原装MOS——STB13NK60ZT4
供应仙童原装FQPF6N80C
供应仙童原装FQPF6N90C
供应 美格拉(纳)MOS管——MDF13N65BTH
安森美功率MOS管——NTD5865NLT4G
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