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安森美功率MOS管——NTD5865NLT4G

地区：上海 上海市
认证： 无

上海贝臣电子有限公司

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 N−Channel  40 Amps 60 Volts Power MOSFET

 •无铅包装

 •封装：DPAK(TO-252)

 •工作温度范围：-55 to 150°C

 •开启延迟时间：84ns

 •关断延迟时间：26ns

 •导通电阻: R=16mΩ @10V

 •耗散功率： PD=52W

 

 

 

品牌/型号

ON/NTD5865NLT4G

种类

绝缘栅MOSFET

用途

V-FET/V型槽MOS

封装外形

SMDSO/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

跨导

15000（μS）

极间电容

1400（pF）

漏极电流

40000（mA）

耗散功率

52000（mW）

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型