长期供应ST原装MOS——STP6N120K3

地区:上海 上海市
认证:

上海贝臣电子有限公司

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• VDS=1200V 

• ID=5A

• 导通电阻:R<2.4Ω

• 总耗散功率:150W

• 工作温度范围:-50 ~ 150°C

 

 

 

品牌/商标

ST/意法

型号/规格

STP6N120K3

种类

绝缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

S/开关

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

开启电压

5(V)

夹断电压

30(V)

极间电容

1050(pF)

漏极电流

5000(mA)

耗散功率

150000(mW)