供应仙童原装MOS——FQA9N90C

 Features
• 9A, 900V, RDS(on) = 1.4Ω @VGS = 10 V
• Low gate charge ( typical 45 nC)
• Low Crss ( typical 14 pF)
• Fast switching
• 100% avalanche tested
• Improved dv/dt capability

•工作温度范围：-55 to +150°C

•开启延迟时间：50ns

•关断延迟时间：100ns

•最大耗散功率：280W

•针脚数：3

•封装形式：TO-3P