供应IR原装开关电源MOS——IRFB33N15D

地区:上海 上海市
认证:

上海贝臣电子有限公司

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•封装形式:TO-220AB

•导通电阻:RDS(ON)=56mΩ

•栅极电荷量:QGD=41nC

• 反向恢复时间:Trr=150nS

•漏极电流:ID=33A   @ TC=25°C

•漏源电压:VDSS=150V

•工作温度范围:-55 ~ 175°C

 

品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRFB33N15D

种类

绝缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

SW-REG/开关电源

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

开启电压

5.5(V)

跨导

14000(μS)

极间电容

2020(pF)

漏极电流

33000(mA)

耗散功率

170000(mW)