供应 美格拉(纳)MOS—MDD2605RH 原装

地区:上海 上海市
认证:

上海贝臣电子有限公司

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Single N-channel Trench MOSFET 30V, 48.0A, 8.5mΩ

 •工作温度:-40 ~ 85 °C

 •封装类型:TO-252

 

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品牌/商标

MagnaChip(美格纳半导体)

型号/规格

MDD2605RH

种类

绝缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

DC/直流

封装外形

CHIP/小型片状

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

2.7(V)

跨导

30000(μS)

极间电容

1270(pF)

漏极电流

48000(mA)

耗散功率

34700(mW)