产品详情

供应ST 汽车电子用功率MOS—— VNS3NV04DTR-E

地区：上海 上海市
认证： 无

上海贝臣电子有限公司

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 autoprotected Power MOSFET

 •开启延迟时间：90ns

 •关断延迟时间:450ns

 •漏源极夹断电压：40V

 •开态电阻RON：120mΩ

 •封装类型：SO-8

 •针脚数：8

 •安装形式：表贴

 

  •配置图(顶视图)

 

  

品牌/商标

ST/意法

型号/规格

VNS3NV04DTR-E

种类

绝缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

夹断电压

40（V）

跨导

5000（μS）

极间电容

150（pF）

漏极电流

3500（mA）

耗散功率

4000（mW）