美格拉MOS管——MDZ1N60UMH

地区:上海 上海市
认证:

上海贝臣电子有限公司

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适用于:开关电源,充电器,镇流器

 

 •封装类型:TO-92

 •VDS=600V

 •ID= 0.4A @ VGS = 10V

 •RDS(ON)≤ 8.5Ω @ VGS = 10V

 •耗散功率:2.5W

 •工作温度范围:-55 ~ 150°C

 

 

品牌/型号

MagnaChip美格纳半导体/MDZ1N60UMH

种类

绝缘栅MOSFET

用途

SW-REG/开关电源

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

开启电压

5(V)

夹断电压

30(V)

跨导

750(μS)

极间电容

130(pF)

漏极电流

400(mA)

耗散功率

2500(mW)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型