产品详情

长期供应ST原装MOS——STP9NM60N

地区：上海 上海市
认证： 无

上海贝臣电子有限公司

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• VDS=650V 

• ID=9A

• 导通电阻：R<0.51Ω

• 总耗散功率：100W

• 工作温度范围：-55 ~ 150°C

 

 

 

品牌/商标

ST/意法

型号/规格

STP9NM60N

种类

绝缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

S/开关

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

开启电压

4（V）

夹断电压

25（V）

跨导

7500（μS）

极间电容

880（pF）

漏极电流

9000（mA）

耗散功率

100000（mW）