产品详情

供应美格拉MOS管——MDP9N60TH

地区：上海 上海市
认证： 无

上海贝臣电子有限公司

金牌会员14年

全部产品 进入商铺

•封装形式：TO-220

• 工作温度范围：-55 ~ 150°C

•耗散功率：150W

•VDS= 600V

•ID=9.0A @ VGS = 10V

•RDS(ON0≤ 0.75D @ VGS = 10V

"
品牌/商标

MagnaChip(美格纳半导体)

型号/规格

MDP9N60TH

种类

绝缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

SW-REG/开关电源

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

MES金属半导体

开启电压

5（V）

跨导

7000（μS）

极间电容

1160（pF）

漏极电流

9000（mA）

耗散功率

150000（mW）