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IR原装MOS —— IRFB260N

地区：上海 上海市
认证： 无

上海贝臣电子有限公司

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 •导通电阻：RDS(on) = 0.04Ω

 •封装形式：TO-220AB

 •VDS=200V

 •ID=56A   @TC=25°C

 •PD=380W    @TC=25°

 •工作温度范围: -55 ~ 175°C

 

 

品牌/型号

IR美国国际整流器公司/IRFB260N

种类

绝缘栅MOSFET

用途

SW-REG/开关电源

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

开启电压

4（V）

跨导

29000（μS）

极间电容

4220（pF）

漏极电流

56000（mA）

耗散功率

380000（mW）

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型