产品详情

供应IR原装MOS —— IRFB4332PBF

地区：上海 上海市
认证： 无

上海贝臣电子有限公司

金牌会员14年

全部产品 进入商铺

 •导通电阻：RDS(on) = 0.033Ω

 •封装形式：TO-220AB
品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRFB4332PBF

种类

绝缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

V-FET/V型槽MOS

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

开启电压

5（V）

夹断电压

30（V）

跨导

100000（μS）

极间电容

5860（pF）

漏极电流

60000（mA）

耗散功率

390000（mW）