供应IR原装MOS —— IRFB4332PBF

地区:上海 上海市
认证:

上海贝臣电子有限公司

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 •导通电阻:RDS(on) = 0.033Ω

 •封装形式:TO-220AB
品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRFB4332PBF

种类

绝缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

V-FET/V型槽MOS

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

开启电压

5(V)

夹断电压

30(V)

跨导

100000(μS)

极间电容

5860(pF)

漏极电流

60000(mA)

耗散功率

390000(mW)