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安森美功率MOS管——MTB30P06V

地区：上海 上海市
认证： 无

上海贝臣电子有限公司

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 N−Channel  30Amps 60 Volts Power MOSFET

 •无铅包装

 •封装：D2PAK(TO-263)

 •工作温度范围：-55 to 175°C

 •开启延迟时间：30ns

 •关断延迟时间：200ns

 •导通电阻: R=80mΩ @10V

 •耗散功率： PD=125W

 

 

 

品牌/型号

ON/MTB30P06V

种类

绝缘栅MOSFET

用途

V-FET/V型槽MOS

封装外形

SMDSO/表面封装

材料

P-FET硅P沟道

跨导

79000（μS）

极间电容

2190（pF）

漏极电流

30000（mA）

耗散功率

125000（mW）

沟道类型

P沟道

导电方式

增强型