上海贝臣电子有限公司
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N-channel 1000V - 5.4Ω - 2.5A Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET
•功率损耗:25W
•导通电阻RDS(ON)<6Ω
•封装形式:TO-220F
•工作温度范围:-55 ~ 150°C
ST/意法
STF3NK100Z
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
CER-DIP/陶瓷直插
2400(μS)
601(pF)
2500(mA)
25000(mW)
IR原装功率MOS——IRF540NL
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