上海贝臣电子有限公司
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Features• 8.0 A, 900V, RDS(on) = 1.4 Ω @VGS = 10 V• Low gate charge ( typical 45nC)• Low Crss ( typical 14pF)• Fast switching• 100% avalanche tested• Improved dv/dt capability
•耗散功率:205W
•工作温度范围:-55 ~ 150°C
•开启延迟时间:50ns
•关断延迟时间:100ns
FAIRCHILD/仙童/FQP9N90C
绝缘栅MOSFET
N沟道
增强型
供应 美格拉(纳)MOS 管—MDD2602RH 原装
供应安森美功率MOS管——MTD6N15
供应美格拉MOS管——MDF9N60TH
供应安森美功率MOS管——NTF3055-100T1G
供应仙童原装MOS——FQPF90N10V2
供应MDF12N50TH 美格拉原装高压MOS
供应 美格拉(纳)贴片MOS MDS9651URH 原装 N-P双沟道
供应IR原装MOS ——IRFB5615PBF
供应安森美MOS——MMBF170L
SPP20N60S5—— Power Transistor
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