N沟MOSF管IRF3315S

品牌/商标	IR美国国际整流器公司	型号/规格	IRF3315S
种类	*缘栅(MOSFET)	沟道类型	N沟道
导电方式	增强型	用途	A/宽频带放大
封装外形	SMD(SO)/表面封装	材料	GE-N-FET锗N沟道
开启电压	150（V）	夹断电压	4（V）
跨导	1（μS）	*间电容	25（pF）
低频噪声系数	10（dB）	*大漏*电流	1（mA）
*大耗散功率	1（mW）

TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET

数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装供应商设备封装其它名称

IRF3315(S,L)PbF

D2PAK, TO-263

IR Hexfet D2PAK

50

分离式半导体产品

FET - 单路

HEXFET®

MOSFET N 通道，金属氧化物

标准型

82 毫欧 @ 12A, 10V

150V

21A

4V @ 250µA

95nC @ 10V

1300pF @ 25V

3.8W

表面贴装

TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB

管件

D2PAK

*IRF3315SPBF