P沟MOSF管NDS9400

品牌/商标	其他	型号/规格	NDS9400
种类	*缘栅(MOSFET)	沟道类型	P沟道
导电方式	增强型	封装外形	SMD(SO)/表面封装
材料	P-FET硅P沟道	开启电压	30（V）
夹断电压	0（V）	跨导	0（μS）
*间电容	0（pF）	低频噪声系数	0（dB）
大漏电流	0（mA）	*大耗散功率	0（mW）

SO8, P沟MOSFET

数据列表产品相片产品培训模块产品变化通告产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳供应商设备封装包装

NDS9400A

8-SOIC

High Voltage Switches for Power Processing
SMPS Power Switch

Mold Compound Change 12/Dec/2007
Product Discontinuation 09/Sept/2008

Power MOSFET, 8-SOP, SO-8

2,500

分离式半导体产品

FET - 单路

-

MOSFET P 通道，金属氧化物

逻辑电平门

130 毫欧 @ 1A, 10V