P沟MOSF管RFR5305

品牌/商标	IR美国国际整流器公司	型号/规格	IRFR5305
种类	*缘栅(MOSFET)	沟道类型	P沟道
导电方式	增强型	开启电压	55（V）
夹断电压	4（V）

TO-252(D-PARK) 12V-400V, P沟MOSFET

数据列表产品相片标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳

IRFR5305PbF, IRFU5305PbF

TO-252-2

3,000

分离式半导体产品

FET - 单路

HEXFET®

MOSFET P 通道，金属氧化物

标准型

65 毫欧 @ 16A, 10V

55V

31A

4V @ 250µA

63nC @ 10V

1200pF @ 25V

110W

表面贴装

TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63