N沟MOSF管BSS123

品牌/商标	其他	型号/规格	BSS123
种类	*缘栅(MOSFET)	沟道类型	N沟道
导电方式	增强型	封装外形	CHIP/小型片状
材料	N-FET硅N沟道	开启电压	100（V）
夹断电压	25（V）	跨导	0（μS）
*间电容	0（pF）	低频噪声系数	0（dB）
*大漏*电流	0（mA）	*大耗散功率	0（mW）

SOT-23 12V-400V, N沟MOSFET

数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装供应商设备封装

BSS123

SOT-23-3

SOT-23 MOSFET

3,000

分离式半导体产品

FET - 单路

TrenchMOS™

MOSFET N 通道，金属氧化物

标准型

6 欧姆 @ 120mA, 10V

100V

150mA

2.8V @ 1mA

-

40pF @ 25V

250mW

表面贴装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

带卷 (TR)

TO-236AB