N沟MOSF管IRF7403

地区:广东 深圳
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品牌/商标 其他 型号/规格 IRF7403
种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 FM/调频
封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 GE-N-FET锗N沟道
开启电压 30(V) 夹断电压 0(V)
跨导 0(μS) *间电容 0(pF)
低频噪声系数 0(dB) *大漏*电流 0(mA)
*大耗散功率 0(mW)

数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)(*大)闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型
IRF740*bF
8-SOIC
IR Hexfet 8-SOIC
4,000
分离式半导体产品
FET - 单路
HEXFET®
MOSFET N 通道,金属氧化物
逻辑电平门
22 毫欧 @ 4A, 10V
30V
8.5A
1V @ 250µA
57nC @ 10V
1200pF @ 25V
2.5W
表面贴装