N沟MOSF管IRFZ34NS

品牌/商标	IR美国国际整流器公司	型号/规格	IRFZ34NS
种类	*缘栅(MOSFET)	沟道类型	N沟道
导电方式	增强型	封装外形	SMD(SO)/表面封装
材料	GE-N-FET锗N沟道	开启电压	55（V）
夹断电压	25（V）	跨导	0（μS）
*间电容	0（pF）	低频噪声系数	0（dB）
*大漏*电流	0（mA）	*大耗散功率	0（mW）

TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET

数据列表产品相片标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装

IRFZ34NSPbF, IRFZ34NLPbF

D2PAK, TO-263

800

分离式半导体产品

FET - 单路

HEXFET®

MOSFET N 通道，金属氧化物

标准型

40 毫欧 @ 16A, 10V

55V

29A

4V @ 250µA

34nC @ 10V

700pF @ 25V

3.8W

表面贴装

TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB

带卷 (TR)