N沟MOSF管IRF530NS

品牌/商标	IR美国国际整流器公司	型号/规格	IRF530NS
种类	*缘栅(MOSFET)	沟道类型	N沟道
导电方式	增强型	开启电压	100（V）
夹断电压	4（V）

TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET

数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳

IRF530N(S,L)PbF

D2PAK, TO-263

IR Hexfet D2PAK

800

分离式半导体产品

FET - 单路

HEXFET®

MOSFET N 通道，金属氧化物

逻辑电平门

90 毫欧 @ 9A, 10V

100V

17A

4V @ 250µA

37nC @ 10V

920pF @ 25V

3.8W

表面贴装

TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB