P沟MOSF管NDT456P

品牌/商标	FAIRCHILD/*童	型号/规格	NDT456P
种类	*缘栅(MOSFET)	沟道类型	P沟道
导电方式	增强型	开启电压	30（V）
夹断电压	3（V）	跨导	0（μS）
*间电容	0（pF）	低频噪声系数	0（dB）
*大漏*电流	0（mA）	*大耗散功率	0（mW）

数据列表产品相片产品培训模块产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装供应商设备封装

NDT456P

SOT-223-4

High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch

MOSFET SOT-223 Pkg

2,500

分离式半导体产品

FET - 单路

-

MOSFET P 通道，金属氧化物

逻辑电平门

30 毫欧 @ 7.5A, 10V

30V

7.5A

3V @ 250µA

67nC @ 10V

1440pF @ 15V

1.1W

表面贴装

TO-261-4, TO-261AA

带卷 (TR)

SOT-223-3