N沟MOSF管FDD6680S

品牌/商标	其他	型号/规格	FDD6680S
种类	*缘栅(MOSFET)	沟道类型	N沟道
导电方式	增强型	封装外形	SMD(SO)/表面封装
材料	N-FET硅N沟道	开启电压	30（V）
夹断电压	3（V）	跨导	0（μS）
*间电容	0（pF）	低频噪声系数	0（dB）
*大漏*电流	0（mA）	*大耗散功率	0（mW）

TO-252(D-PARK) 20V-800V, N沟MOSFET

数据列表产品相片产品培训模块标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳

FDD6680AS

TO-252-2

High Voltage Switches for Power Processing

2,500

分离式半导体产品

FET - 单路

PowerTrench®

MOSFET N 通道，金属氧化物

逻辑电平门

10.5 毫欧 @ 12.5A, 10V

30V

55A

3V @ 1mA

29nC @ 15V

1200pF @ 15V

1.3W

表面贴装

TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63