P沟MOSF管IRF7410

品牌/商标	其他	型号/规格	IRF7410
种类	*缘栅(MOSFET)	沟道类型	P沟道
导电方式	增强型	封装外形	SMD(SO)/表面封装
材料	P-FET硅P沟道	开启电压	12（V）
夹断电压	4.5（V）	跨导	0（μS）
*间电容	0（pF）	低频噪声系数	0（dB）
*大漏*电流	0（mA）	*大耗散功率	2.5（mW）

数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳供应商设备封装包装

IRF7410GPBF

8-SOIC

IR Hexfet 8-SOIC

4,000

分离式半导体产品

FET - 单路

HEXFET®

MOSFET P 通道，金属氧化物

逻辑电平门

7 毫欧 @ 16A, 4.5V

12V

16A

900mV @ 250µA

91nC @ 4.5V

8676pF @ 10V

2.5W

表面贴装

8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽）

8-SO

带卷 (TR)