N沟MOSF管IRL2703S

品牌/商标	其他	型号/规格	IRL2703S
种类	*缘栅(MOSFET)	沟道类型	N沟道
导电方式	增强型	开启电压	30（V）
夹断电压	1（V）	跨导	1（μS）
*间电容	4.5（pF）	低频噪声系数	1（dB）
*大漏*电流	10（mA）	*大耗散功率	25（mW）

TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET

数据列表产品相片标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳

IRL2703SPbF

D2PAK, TO-263

50

分离式半导体产品

FET - 单路

HEXFET®

MOSFET N 通道，金属氧化物

逻辑电平门

40 毫欧 @ 14A, 10V

30V

24A

1V @ 250µA

15nC @ 4.5V

450pF @ 25V

45W

表面贴装

TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB