N沟MOSF管IRFR110

品牌/商标	ZET英国XETEX	型号/规格	IRFR110
种类	*缘栅(MOSFET)	沟道类型	N沟道
导电方式	增强型	用途	CHOP/斩波、限幅
封装外形	SMD(SO)/表面封装	材料	P-FET硅P沟道
开启电压	100（V）	夹断电压	100（V）
*间电容	180（pF）	大漏电流	430（mA）
*大耗散功率	250（mW）

数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)Id 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装产品目录页面其它名称

IRFR110, IRFU110

IRFR110TRPBF

IR(F,L)Z Series Side 1
IR(F,L)Z Series Side 2

2,000

分离式半导体产品

MOSFET，GaNFET - 单

-

MOSFET N 通道，金属氧化物

标准型

540 毫欧 @ 2.6A, 10V

100V

4V @ 250µA