P沟MOSF管SI2315DS

品牌/商标	其他	型号/规格	SI2315DS
种类	*缘栅(MOSFET)	沟道类型	P沟道
导电方式	增强型	用途	L/功率放大
封装外形	CHIP/小型片状	材料	*肖特基势垒栅
开启电压	12（V）	夹断电压	6（V）

SOT-23 12V-400V, P沟MOSFET

数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳

SI2315BDS

SOT-23-3

SC75(A), SC89-3, SOT-23, SOT-323

1

分离式半导体产品

FET - 单路

TrenchFET®

MOSFET P 通道，金属氧化物

逻辑电平门

50 毫欧 @ 3.85A, 4.5V

12V

3A

900mV @ 250µA

15nC @ 4.5V

715pF @ 6V

750mW

表面贴装

TO-236-3, SC-59, SOT-23