供应MOSFET管IRF830PBF

地区:广东 深圳
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品牌:INR美德国际整流器件 型号:IRF830PBF 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型
产品:General Purpose MOSFETs
配置:Single
晶体管*性:N-Channel
封装 / 箱体:TO-220AB
汲*/源*击穿电压:500 V
漏*连续电流:4.5 A
功率耗散:74000 mW
电阻汲*/源* RDS(导通):1.5 Ohm @ 10 V
典型下降时间:16 ns
典型上升时间:16 ns
典型关闭延迟时间:42 ns
封装:Tube
闸/源击穿电压:20 V
*大工作温度:+ 150 C
*小工作温度:- 55 C