N沟MOSF管IRF730AS

品牌/商标	IR美国国际整流器公司	型号/规格	IRF730AS
种类	*缘栅(MOSFET)	沟道类型	N沟道
导电方式	增强型	封装外形	SMD(SO)/表面封装
材料	N-FET硅N沟道	开启电压	400（V）
夹断电压	4.5（V）	*大漏*电流	10（mA）
*大耗散功率	25（mW）

TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET

数据列表产品相片标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装供应商设备封装

IRF730AS/LPBF

D2PAK, TO-263

1,000

分离式半导体产品

FET - 单路

-

MOSFET N 通道，金属氧化物

标准型

1 欧姆 @ 3.3A, 10V

400V

5.5A

4.5V @ 250µA

22nC @ 10V

600pF @ 25V

74W

表面贴装

TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB

管件

D2PAK