P沟MOSF管SI4532

品牌/商标	其他	型号/规格	SI4532ADY
种类	*缘栅(MOSFET)	沟道类型	P沟道
导电方式	增强型	开启电压	30（V）

SO8, P沟MOSFET

数据列表标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳供应商设备封装包装

SI4532ADY

2,500

分离式半导体产品

FET - 阵列

TrenchFET®

N 和 P 沟道

逻辑电平门

53 毫欧 @ 4.9A, 10V

30V

3.7A, 3A

1V @ 250µA

16nC @ 10V

-

1.13W, 1.2W

表面贴装

8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽）

8-SOICN

带卷 (TR)