P沟MOSF管IRLML5203

品牌/商标	其他	型号/规格	IRLML5203
种类	*缘栅(MOSFET)	沟道类型	P沟道
导电方式	增强型	用途	A/宽频带放大
封装外形	SMD(SO)/表面封装	材料	P-FET硅P沟道
开启电压	30（V）

SOT-23 12V-400V, P沟MOSFET

数据列表产品相片标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳供应商设备封装包装

IRLML520*BF

SOT-23-3

3,000

分离式半导体产品

FET - 单路

HEXFET®

MOSFET P 通道，金属氧化物

逻辑电平门

98 毫欧 @ 3A, 10V

30V

3A

2.5V @ 250µA

14nC @ 10V

510pF @ 25V

1.25W

表面贴装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Micro3™/SOT-23

带卷 (TR)