N沟MOSF管IRF740S

品牌/商标	其他	型号/规格	IRF740S
种类	*缘栅(MOSFET)	沟道类型	N沟道
导电方式	增强型	用途	CHOP/斩波、限幅
封装外形	SMD(SO)/表面封装	材料	N-FET硅N沟道
开启电压	400（V）	夹断电压	400（V）
*间电容	1400（pF）	*大漏*电流	10000（mA）
*大耗散功率	31000（mW）

数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)Id 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装产品目录页面

IRF740SPBF

D2PAK, TO-263 (2 leads + tab)

IR(F,L,Z) Series Side 1 IR(F,L,Z) Series Side 2

800

分离式半导体产品

MOSFET，GaNFET - 单

-

MOSFET N 通道，金属氧化物

标准型

550 毫欧 @ 6A, 10V

400V

4V @ 250µA

63nC @ 10V

10A

1400pF @ 25V

3.1W

表面贴装

D²Pak，TO-263（2 引线 + 接片）

带卷 (TR)

1380 (CN091-10 PDF)