N沟MOSF管RFR3505

品牌/商标	ZET英国XETEX	型号/规格	IRFR3505
种类	*缘栅(MOSFET)	沟道类型	N沟道
导电方式	增强型	用途	A/宽频带放大
封装外形	SMD(SO)/表面封装	材料	N-FET硅N沟道
开启电压	55（V）	夹断电压	55（V）
*间电容	2030（pF）	*大漏*电流	300（mA）
*大耗散功率	1400（mW）

数据列表产品相片标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)Id 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装其它名称

IRFR3505PbF, IRFU3505PbF

DPAK Pkg

75

分离式半导体产品

MOSFET，GaNFET - 单

HEXFET®

MOSFET N 通道，金属氧化物

标准型

13 毫欧 @ 30A, 10V

55V

4V @ 250µA

93nC @ 10V

30A

2030pF @ 25V

140W

表面贴装

DPak, SC-63,TO-252(2引线+接片)

管件

*IRFR3505PBF