N沟MOSF管IRFZ24NS

品牌/商标	IR美国国际整流器公司	型号/规格	IRFZ24NS
种类	*缘栅(MOSFET)	沟道类型	N沟道
导电方式	增强型	用途	A/宽频带放大
封装外形	SMD(SO)/表面封装	材料	GE-N-FET锗N沟道
开启电压	55（V）	夹断电压	55（V）
*间电容	370（pF）	*大漏*电流	170（mA）
*大耗散功率	3800（mW）

TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET

数据列表产品相片标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装供应商设备封装其它名称

IRFZ24NS(LPbF)

IRFS4228TRLPBF

800

分离式半导体产品

FET - 单路

HEXFET®

MOSFET N 通道，金属氧化物

标准型

70 毫欧 @ 10A, 10V

55V

17A

4V @ 250µA

20nC @ 10V

370pF @ 25V

3.8W

表面贴装

TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB

带卷 (TR)

D2PAK

IRFZ24NSTRLPBF-ND IRFZ24NSTRLPBFTR