N沟MOSF管RFR014

地区:广东 深圳
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品牌/商标 其他 型号/规格 IRFR014
种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 开启电压 60(V)
夹断电压 4(V)

数据列表产品相片标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)(*大)闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装
IRFR014, IRFU014
TO-252-2
2,000
分离式半导体产品
FET - 单路
-
MOSFET N 通道,金属氧化物
标准型
200 毫欧 @ 4.6A, 10V
60V
7.7A
4V @ 250µA
11nC @ 10V
300pF @ 25V
2.5W
表面贴装
TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63
带卷 (TR)