N沟MOSF管FDD6690A.TO-252

品牌/商标	FAIRCHILD/*童	型号/规格	FDD6690A
种类	*缘栅(MOSFET)	沟道类型	N沟道
导电方式	增强型	封装外形	SMD(SO)/表面封装
材料	GE-N-FET锗N沟道	开启电压	30（V）
夹断电压	15（V）	跨导	0（μS）
*间电容	0（pF）	低频噪声系数	0（dB）
大漏电流	0（mA）	*大耗散功率	0（mW）

TO-252(D-PARK) 20V-800V, N沟MOSFET

数据列表产品相片产品培训模块产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳

FDD6690A

TO-252-2

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