N沟MOSF管IRFR4104, 40v,42a,

品牌/商标	ZET英国XETEX	型号/规格	IRFR4104
种类	*缘栅(MOSFET)	沟道类型	N沟道
导电方式	增强型	封装外形	SMD(SO)/表面封装
材料	P-FET硅P沟道	开启电压	40（V）
夹断电压	40（V）	*间电容	2950（pF）
*大漏*电流	420（mA）	*大耗散功率	140（mW）

TO-252(D-PARK) 20V-800V, N沟MOSFE

数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)Id 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装其它名称

IRFR4104PbF, IRFU4104PbF

DPAK Pkg

D Pak Side

2,000

分离式半导体产品

MOSFET，GaNFET - 单

HEXFET®

MOSFET N 通道，金属氧化物

标准型

5.5 毫欧 @ 42A, 10V

40V

4V @ 250µA

89nC @ 10V

42A

2950pF @ 25V

140W

表面贴装

DPak, SC-63,TO-252(2引线+接片)

带卷 (TR)

IRFR4104PBFTR IRFR4104TRPBF-ND IRFR4104TRPBFTR-ND

T