N沟MOSF管IRF840AS

品牌/商标	其他	型号/规格	IRF840AS
种类	*缘栅(MOSFET)	沟道类型	N沟道
导电方式	增强型	开启电压	500（V）
夹断电压	500（V）	*间电容	1018（pF）
*大漏*电流	800（mA）	*大耗散功率	3100（mW）

数据列表产品相片标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)Id 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装其它名称

IRF840ASPBF, ALPBF

D2PAK, TO-263 (2 leads + tab)

1,000

分离式半导体产品

MOSFET，GaNFET - 单

-

MOSFET N 通道，金属氧化物

标准型

850 毫欧 @ 4.8A, 10V

500V

4V @ 250µA

38nC @ 10V

8A

1018pF @ 25V

3.1W

表面贴装

D²Pak，TO-263（2 引线 + 接片）

管件

*IRF840ASPBF