N沟MOSF管IRL3302S

品牌/商标	IR美国国际整流器公司	型号/规格	IRL3302S
种类	*缘栅(MOSFET)	沟道类型	N沟道
导电方式	增强型	用途	AM/调幅
封装外形	SMD(SO)/表面封装	开启电压	7（V）
夹断电压	20（V）	跨导	0（μS）
*间电容	1300（pF）	低频噪声系数	0（dB）
*大漏*电流	390（mA）	*大耗散功率	5700（mW）

TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET

类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳

分离式半导体产品

FET - 单路

HEXFET®

MOSFET N 通道，金属氧化物

逻辑电平门

20 毫欧 @ 23A, 7V

20V

39A

700mV @ 250µA

31nC @ 4.5V

1300pF @ 15V

57W

表面贴装

TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB