N沟MOSF管IRF3710S

品牌/商标	其他	型号/规格	IRF3710S
种类	*缘栅(MOSFET)	沟道类型	N沟道
导电方式	增强型	用途	A/宽频带放大
封装外形	SMD(SO)/表面封装	材料	P-FET硅P沟道
开启电压	100（V）	夹断电压	4（V）

TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET

数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大

IRF3710(S,L)PbF

D2PAK, TO-263

IR Hexfet D2PAK

800

分离式半导体产品

FET - 单路

HEXFET®

MOSFET N 通道，金属氧化物

标准型

23 毫欧 @ 28A, 10V

100V

57A

4V @ 250µA

130nC @ 10V

3130pF @ 25V

200W