2SK3078晶体管/TOS高频功率MOSFET

品牌:TOSHIBA东芝 型号:2SK3078 应用范围:功率 材料:硅(Si) *性:PNP型 击穿电压VCBO:10（V） 集电**大允许电流ICM:0.5（A） 集电**大耗散功率PCM:1（W） 截止频率fT:0（MHz） 结构:面接触型 封装形式:贴片型 封装材料:塑料封装

属性

属性 值 条件 部件型号 2SK3078A *性 N沟 用途 FRS/GMRS(470MHz) 漏源电压VDSS@Tc=25°C 10 V 泄漏电流ID@Tc=25°C 500 mA 功耗PD@Tc=25°C, max 3 W 输出功率PO(*小) 0.63W VDD= 4.5 V, f = 470 MHz, Pi = 0.1 W, Tc=25°C 封装 PW-Mini(4.6 x 4.2) 管脚数 3 产品分类 RF功率MOSFET RoHS Compatible Product(s) (#) Available