P沟MOSF管FDN338P

品牌/商标	其他	型号/规格	FDN338P
种类	*缘栅(MOSFET)	沟道类型	P沟道
导电方式	增强型	用途	A/宽频带放大
封装外形	SMD(SO)/表面封装	材料	P-FET硅P沟道
开启电压	20（V）	夹断电压	4.5（V）
跨导	0（μS）	*间电容	0（pF）
低频噪声系数	0（dB）	*大漏*电流	0（mA）
*大耗散功率	0（mW）

SOT-23 12V-400V, P沟MOSFET

数据列表产品相片产品培训模块产品变化通告产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳供应商设备封装包装

FDN338P

SOT-23-3

High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch

Mold Compound Change 07/Dec/2007 Mold Compound Change 08/April/2008

SuperSOT-3, SOT-23

3,000

分离式半导体产品

FET - 单路

PowerTrench®

MOSFET P 通道，金属氧化物

逻辑电平门

115 毫欧 @ 1.6A, 4.5V

20V

1.6A

1.5V @ 250µA

6.2nC @ 4.5V

451pF @ 10V

460mW

表面贴装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

3-SSOT

带卷 (TR)