N沟MOSF管FDS5670

品牌/商标	其他	型号/规格	FDS5670
种类	*缘栅(MOSFET)	沟道类型	N沟道
导电方式	增强型	用途	DIFF/差分放大
封装外形	SMD(SO)/表面封装	材料	N-FET硅N沟道
开启电压	60（V）	夹断电压	10（V）
跨导	0（μS）	*间电容	0（pF）
低频噪声系数	0（dB）	大漏电流	0（mA）
*大耗散功率	0（mW）

数据列表产品相片产品培训模块产品变化通告产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳

FDS5670

8-SOIC

High Voltage Switches for Power Processing

Cu Wirebond Change 12/Oct/2007
Mold Compound Change 12/Dec/2007

Power MOSFET, 8-SOP, SO-8

2,500

分离式半导体产品

FET - 单路

PowerTrench®

MOSFET N 通道，金属氧化物

逻辑电平门

14 毫欧 @ 10A, 10V