N沟MOSF管RFL024Z

品牌/商标	ZET英国XETEX	型号/规格	IRFL024Z
种类	*缘栅(MOSFET)	沟道类型	N沟道
导电方式	增强型	用途	CC/恒流
封装外形	CHIP/小型片状	材料	N-FET硅N沟道
开启电压	55（V）	夹断电压	55（V）
*间电容	340（pF）	*大漏*电流	510（mA）
*大耗散功率	140（mW）

数据列表标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)Id 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳

IRFL024ZPbF

2,500

分离式半导体产品

MOSFET，GaNFET - 单

HEXFET®

MOSFET N 通道，金属氧化物

逻辑电平门

57.5 毫欧 @ 3.1A, 10V

55V

4V @ 250µA

14nC @ 10V

5.1A

340pF @ 25V

1W

表面贴装

SOT-223（3 引线 + 接片），SC-73，TO-261AA