P沟MOSF管IRFR9024N

品牌/商标	INR美德国际整流器件	型号/规格	IRFR9024N
种类	*缘栅(MOSFET)	沟道类型	P沟道
导电方式	增强型	用途	CC/恒流
封装外形	CHIP/小型片状	材料	P-FET硅P沟道
夹断电压	60（V）	*间电容	570（pF）
大漏电流	880（mA）	*大耗散功率	250（mW）

数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)Id 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装产品目录页面其它名称

IRFR9024, IRFU9024

IRFR9024TRPBF

IR(F,L)Z Series Side 1
IR(F,L)Z Series Side 2

2,000

分离式半导体产品

MOSFET，GaNFET - 单

-

MOSFET P 通道，金属氧化物

标准型

280 毫欧 @ 5.3A, 10V

60V

4V @ 250µA