P沟MOSF管NDS332P

品牌/商标	FAIRCHILD/*童	型号/规格	NDS332P
种类	*缘栅(MOSFET)	沟道类型	P沟道
导电方式	增强型	用途	CC/恒流
封装外形	SMD(SO)/表面封装	材料	GE-P-FET锗P沟道
开启电压	4.5（V）	夹断电压	20（V）
跨导	0（μS）	*间电容	195（pF）
低频噪声系数	0（dB）	*大漏*电流	100（mA）
*大耗散功率	460（mW）

SOT-23 12V-400V, P沟MOSFET

类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装

分离式半导体产品

FET - 单路

-

MOSFET P 通道，金属氧化物

逻辑电平门

300 毫欧 @ 1.1A, 4.5V

20V

1A

1V @ 250µA

5nC @ 4.5V

195pF @ 10V

460mW

表面贴装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

带卷 (TR)